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文献
J-GLOBAL ID：200902121701133670
整理番号：96A0795748
シリコン基板上への高品質SiGeC無秩序合金の成長とその光ルミネセンス
Growth and photoluminescence of high quality SiGeC random alloys on silicon substrates.
LIU C W
(Princeton Univ., New Jersey)
,
ST AMOUR A
(Princeton Univ., New Jersey)
,
STURM J C
(Princeton Univ., New Jersey)
,
LACROIX Y R J
(Simon Fraser Univ., British Columbia, CAN)
,
THEWALT M L W
(Simon Fraser Univ., British Columbia, CAN)
,
MAGEE C W
(Evans East, New Jersey)
,
EAGLESHAM D
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 80 号： 5 ページ： 3043-3047 発行年： 1996年09月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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