文献
J-GLOBAL ID:200902121826135224
整理番号:02A0876805
SiCナノ粒子のドーピングによるMgB2超伝導体の臨界電流密度と磁束ピン止めの増強
Enhancement of the critical current density and flux pinning of MgB2 superconductor by nanoparticle SiC doping.
著者 (9件):
DOU S X
(Univ. Wollongong, NSW, AUS)
,
SOLTANIAN S
(Univ. Wollongong, NSW, AUS)
,
HORVAT J
(Univ. Wollongong, NSW, AUS)
,
WANG X L
(Univ. Wollongong, NSW, AUS)
,
ZHOU S H
(Univ. Wollongong, NSW, AUS)
,
IONESCU M
(Univ. Wollongong, NSW, AUS)
,
LIU H K
(Univ. Wollongong, NSW, AUS)
,
MUNROE P
(Univ. New South Wales, NSW, AUS)
,
TOMSIC M
(Hyper Tech Res. Inc., Ohio)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
81
号:
18
ページ:
3419-3421
発行年:
2002年10月28日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)