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文献
J-GLOBAL ID：200902121879748163
整理番号：94A0958989
1.8GHzで2.8W/mmの電力密度を有する4H-SiCMESFET
4H-SiC MESFET with 2.8W/mm Power Density at 1.8GHz.
WEITZEL C E
(Motorola, Inc., AZ, USA)
,
PALMOUR J W
(Cree Research, NC, USA)
,
CARTER C H JR
(Cree Research, NC, USA)
,
NORDQUIST K J
(Motorola, Inc., AZ, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 15 号： 10 ページ： 406-408 発行年： 1994年10月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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