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文献
J-GLOBAL ID：200902121912728629
整理番号：02A0372552
遠紫外分光偏光解析法による金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ用の高K誘電体の誘電関数と光学バンドギャップ
Dielectric functions and optical bandgaps of high-K dielectrics for metal-oxide-semiconductor field-effect transistors by far ultraviolet spectroscopic ellipsometry.
LIM S-G
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
,
JACKSON T N
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
,
HAENI J H
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
,
SCHLOM D G
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
,
BALBASHOV A M
(Moscow Power Engineering Inst., Moscow, RUS)
,
UECKER R
(Inst. Crystal Growth, Berlin, DEU)
,
REICHE P
(Inst. Crystal Growth, Berlin, DEU)
,
FREEOUF J L
(Oregon Graduate Inst. and Interface Studies Inc., Oregon)
,
LUCOVSKY G
(North Carolina State Univ., North Carolina)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 91 号： 7 ページ： 4500-4505 発行年： 2002年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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