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文献
J-GLOBAL ID：200902121925623761
整理番号：96A0998574
第III族窒化物三元膜の高密度エッチング
High-Density Etching of Group III Nitride Ternary Films.
SHUL R J
(Sandia National Lab., New Mexico, USA)
,
HOWARD A J
(Sandia National Lab., New Mexico, USA)
,
PEARTON S J
(Univ. Florida, Florida, USA)
,
ABERNATHY C R
(Univ. Florida, Florida, USA)
,
VARTULI C B
(Univ. Florida, Florida, USA)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 143 号： 10 ページ： 3285-3290 発行年： 1996年10月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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