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文献
J-GLOBAL ID：200902122075315376
整理番号：00A0114679
EuドープGaNの成長とMIS構造からのエレクトロルミネセンス
Growth of Eu Doped GaN and Electroluminescence from MIS Structure.
MORISHIMA S
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
MARUYAMA T
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
TANAKA M
(Single Quantum Dot Project ERATO JST, Ibaraki, JPN)
,
MASUMOTO Y
(Single Quantum Dot Project ERATO JST, Ibaraki, JPN)
,
AKIMOTO K
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applied Research
(Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 176 号： 1 ページ： 113-117 発行年： 1999年11月16日
JST資料番号： D0774A ISSN： 0031-8965 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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