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文献
J-GLOBAL ID：200902122085077821
整理番号：01A0324149
荷電粒子用の積層CMOS型活性ピクセルセンサの出力特性
Output characteristics of stacked CMOS-type active pixel sensor for charged particles.
NAGASHIMA K
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
KUNIHIRO T
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
TAKAYANAGI I
(Olympus Optical Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
NAKAMURA J
(Olympus Optical Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
KOSAKA K
(Tokyo Technol. Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
YURIMOTO H
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Surface and Interface Analysis
(Surface and Interface Analysis)
巻： 31 号： 2 ページ： 131-137 発行年： 2001年02月
JST資料番号： E0709A ISSN： 0142-2421 CODEN： SIANDQ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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