文献
J-GLOBAL ID:200902122106992681
整理番号:02A0200688
1.2V,450MHz動作を目標とする0.13μm全金属埋込みDRAM技術
A 0.13μm Full Metal Embedded DRAM Technology Targeting on 1.2V, 450MHz Operation.
著者 (9件):
ARAI S
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
SAKOH T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
KITAMURA T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
SHIRAI H
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
AOKI Y
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
SAKAO M
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
INOUE K
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
TAKEUCHI M
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
KISHI S
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2001
ページ:
403-406
発行年:
2001年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)