文献
J-GLOBAL ID:200902122183638530
整理番号:02A0106689
Dislocations in GaN-Based Laser Diodes on Epitaxial Lateral Overgrown GaN Layers.
著者 (9件):
TOMIYA S
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
NAKAJIMA H
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
FUNATO K
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
MIYAJIMA T
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
KOBAYASHI K
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
HINO T
(Sony Shiroishi Semiconductor Inc., Miyagi, JPN)
,
KIJIMA S
(Sony Shiroishi Semiconductor Inc., Miyagi, JPN)
,
ASANO T
(Sony Shiroishi Semiconductor Inc., Miyagi, JPN)
,
IKEDA M
(Sony Shiroishi Semiconductor Inc., Miyagi, JPN)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applied Research
(Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻:
188
号:
1
ページ:
69-72
発行年:
2001年11月16日
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
0031-8965
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)