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文献
J-GLOBAL ID：200902122496968786
整理番号：98A0067432
6H-SiC上に成長させたGaNエピタキシャル層における二軸性歪のRamanおよび光ルミネセンス測定
Raman and photoluminescence studies of biaxial strain in GaN epitaxial layers grown on 6H-SiC.
DAVYDOV V YU
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
AVERKIEV N S
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
GONCHARUK I N
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
NELSON D K
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
NIKITINA I P
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
POLKOVNIKOV A S
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
SMIRNOV A N
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
JACOBSON M A
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
SEMCHINOVA O K
(Univ. Hannover, Hannover, DEU)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 82 号： 10 ページ： 5097-5102 発行年： 1997年11月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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