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J-GLOBAL ID：200902122642158295 整理番号：01A0271085

非常に低いV/III比で二次元的に成長させた薄いAlNバッファ層を用いたサファイヤ基板上のAlN成長

Growth of AlN on sapphire substrates by using a thin AlN buffer layer grown two-dimensionally at a very low V/III ratio.

著者 (2件)：

OHBA Y

(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)

SATO R

(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)

資料名：

Journal of Crystal Growth (Journal of Crystal Growth)

巻： 221 ページ： 258-261 発行年： 2000年12月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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