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文献
J-GLOBAL ID：200902122683887609
整理番号：95A0757100
ホットウォールエピタクシーによるGaN膜の成長
Growth of GaN films by hot wall epitaxy.
ISHIDA A
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
YAMAMOTO E
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
ISHINO K
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
ITO K
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
FUJIYASU H
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
NAKANISHI Y
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 67 号： 5 ページ： 665-666 発行年： 1995年07月31日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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