文献
J-GLOBAL ID:200902122693055911
整理番号:95A0641604
低温で析出する二酸化けい素のプラズマ増強化学蒸着
Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition of Silicon Dioxide Deposited at Low Temperatures.
著者 (3件):
CEILER M F JR
(Georgia Inst. Technol., Georgia)
,
KOHL P A
(Georgia Inst. Technol., Georgia)
,
BIDSTRUP S A
(Georgia Inst. Technol., Georgia)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
142
号:
6
ページ:
2067-2071
発行年:
1995年06月
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)