前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902122842338077
整理番号：02A0266356
格子不整合AlmGa1-mN/GaN HEMTの2-DEGシート電荷密度および電流電圧特性に及ぼすAlmGa1-mN層の応力緩和の影響
Impact of strain relaxation of AlmGa1-mN layer on 2-DEG sheet charge density and current voltage characteristics of lattice mismatched AlmGa1-mN/GaN HEMTs.
RASHMI
(Univ. Delhi South Campus, New Delhi, IND)
,
KRANTI A
(Univ. Delhi South Campus, New Delhi, IND)
,
HALDAR S
(Univ. Delhi South Campus, New Delhi, IND)
,
GUPTA R S
(Univ. Delhi South Campus, New Delhi, IND)
資料名：
Microelectronics Journal
(Microelectronics Journal)
巻： 33 号： 3 ページ： 205-212 発行年： 2002年03月
JST資料番号： A0186A ISSN： 0026-2692 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。