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文献
J-GLOBAL ID：200902122926148443
整理番号：01A0486829
スタート基板としてGaAsを用いた水素化物気相エピタクシーによる大きい自立したGaN基板の作製
Preparation of Large Freestanding GaN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy Using GaAs as a Starting Substrate.
MOTOKI K
(Sumitomo Electric Ind. Ltd., Hyogo, JPN)
,
OKAHISA T
(Sumitomo Electric Ind. Ltd., Hyogo, JPN)
,
MATSUMOTO N
(Sumitomo Electric Ind. Ltd., Hyogo, JPN)
,
MATSUSHIMA M
(Sumitomo Electric Ind. Ltd., Hyogo, JPN)
,
KIMURA H
(Sumitomo Electric Ind. Ltd., Hyogo, JPN)
,
KASAI H
(Sumitomo Electric Ind. Ltd., Hyogo, JPN)
,
KUMAGAI Y
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
KOUKITU A
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
SEKI H
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40 号： 2B ページ： L140-L143 発行年： 2001年02月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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