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文献
J-GLOBAL ID:200902122926148443   整理番号:01A0486829

スタート基板としてGaAsを用いた水素化物気相エピタクシーによる大きい自立したGaN基板の作製

Preparation of Large Freestanding GaN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy Using GaAs as a Starting Substrate.
著者 (9件):
MOTOKI K
(Sumitomo Electric Ind. Ltd., Hyogo, JPN)
OKAHISA T
(Sumitomo Electric Ind. Ltd., Hyogo, JPN)
MATSUMOTO N
(Sumitomo Electric Ind. Ltd., Hyogo, JPN)
MATSUSHIMA M
(Sumitomo Electric Ind. Ltd., Hyogo, JPN)
KIMURA H
(Sumitomo Electric Ind. Ltd., Hyogo, JPN)
KASAI H
(Sumitomo Electric Ind. Ltd., Hyogo, JPN)
KUMAGAI Y
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
KOUKITU A
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
SEKI H
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

巻: 40  号: 2B  ページ: L140-L143  発行年: 2001年02月15日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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