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文献
J-GLOBAL ID：200902123087617846
整理番号：99A0751919
III-V化合物半導体ヘテロ構造におけるナノスケールの組成変動の走査型トンネル顕微鏡による評価
Nanometer-scale compositional variations in III-V semiconductor heterostructures characterized by scanning tunneling microscopy.
YU E T
(Univ. California at San Diego, California)
,
ZUO S L
(Univ. California at San Diego, California)
,
BI W G
(Univ. California at San Diego, California)
,
TU C W
(Univ. California at San Diego, California)
,
ALLERMAN A A
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
BIEFELD R M
(Sandia National Lab., New Mexico)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 17 号： 4,Pt.2 ページ： 2246-2250 発行年： 1999年07月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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