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文献
J-GLOBAL ID：200902123104474604
整理番号：03A0047466
0.25μm CMOSプロセスで製作した相補型ピクセルアーキテクチャとパルス幅変調を持つ1.0V VDD CMOSアクティブピクセルセンサ
A 1.0-V VDD CMOS Active-Pixel Sensor With Complementary Pixel Architecture and Pulsewidth Modulation Fabricated With a 0.25-μm CMOS Process.
XU C
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
ZHANG W Q
(Celestry Design Technol., Inc., CA, USA)
,
KI W-H
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
CHAN M
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名：
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 37 号： 12 ページ： 1853-1859 発行年： 2002年12月
JST資料番号： B0761A ISSN： 0018-9200 CODEN： IJSCBC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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