文献
J-GLOBAL ID:200902123126191649
整理番号:00A0544375
ダイナミックランダムアクセスメモリーに対する保持特性の主モードまたはテイルモードを形成する局所接合部の漏れ機構
Leakage Mechanism of Local Junctions Forming the Main or Tail Mode of Retention Characteristics for Dynamic Random Access Memories.
著者 (4件):
UENO S
(ULSI Dev. Center, Hyogo, JPN)
,
INOUE Y
(ULSI Dev. Center, Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(ULSI Dev. Center, Hyogo, JPN)
,
TSUBOUCHI N
(ULSI Dev. Center, Hyogo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
39
号:
4B
ページ:
1963-1968
発行年:
2000年04月30日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)