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文献
J-GLOBAL ID：200902123135734442
整理番号：95A0588110
シリコン(100)基板上に化学蒸着により成長させたβ-SiC中の電子トラップ
Electron traps in β-SiC grown by chemical vapor deposition on silicon (100) substrates.
ZEKENTES K
(Inst. Electronic Structure and Lasers, Crete, GRC)
,
KAYIAMBAKI M
(Inst. Electronic Structure and Lasers, Crete, GRC)
,
CONSTANTINIDIS G
(Inst. Electronic Structure and Lasers, Crete, GRC)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 66 号： 22 ページ： 3015-3017 発行年： 1995年05月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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