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文献
J-GLOBAL ID：200902123175224382
整理番号：00A0479766
CMOS撮像素子用の新LV-BPD(低電圧埋め込みフォトダイオード)
New LV-BPD(Low Voltage Buried Photo-Diode) for CMOS Imager.
INOUE I
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN)
,
NOZAKI H
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN)
,
YAMASHITA H
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN)
,
YAMAGUCHI T
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN)
,
ISHIWATA H
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN)
,
IHARA H
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN)
,
MIYAGAWA R
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN)
,
NAKAMURA N
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN)
,
MATSUNAGA Y
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1999 ページ： 883-886 発行年： 1999年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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