文献
J-GLOBAL ID:200902123242826244
整理番号:98A0403324
炉中の熱酸化におけるSiO2/Si(111)界面における原子レベルの平坦さの保存
Preservation of atomic flatness at SiO2/Si(111) interfaces during thermal oxidation in a furnace.
著者 (3件):
MIYATA N
(Joint Res. Center for Atom Technol., Ibaraki, JPN)
,
WATANABE H
(Joint Res. Center for Atom Technol., Ibaraki, JPN)
,
ICHIKAWA M
(Joint Res. Center for Atom Technol., Ibaraki, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
72
号:
14
ページ:
1715-1717
発行年:
1998年04月06日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)