前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902123416313578
整理番号：98A0172740
埋込みゲート接合電界効果トランジスタの特性に及ぼす炭化けい素表面のプラズマ処理の影響
Influence of plasma treatment of the surface of silicon carbide on the characteristics of buried-gate junction field-effect transistors.
IVANOV P A
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
KON’KOV O I
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
PANTELEEV V N
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
SAMSONOVA T P
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 31 号： 11 ページ： 1212-1215 発行年： 1997年11月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。