文献
J-GLOBAL ID:200902123424797690
整理番号:94A0417993
シリコン中のf不純物の格子間状態
Interstitial states of f impurities in silicon.
著者 (2件):
FISTUL’ V I
(Russian Open Univ., Moscow, SUN)
,
SHMUGUROV V A
(Russian Open Univ., Moscow, SUN)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
27
号:
11/12
ページ:
1050-1054
発行年:
1993年11月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)