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文献
J-GLOBAL ID：200902123490737282
整理番号：97A1004675
各種分光学的方法(AES,SIMS,IR分光法)によるSiOxマトリックスのキャラクタリゼーション
Characterization of SiOx matrix by different spectroscopic techniques(AES, SIMS, IR-spectroscopy).
ROMANOVA G
(Inst. Semiconductor Physics, Ukrainian National Acad. Sci., Kiev, UKR)
,
LITOVCHENKO V
(Inst. Semiconductor Physics, Ukrainian National Acad. Sci., Kiev, UKR)
,
EFREMOV A
(Inst. Semiconductor Physics, Ukrainian National Acad. Sci., Kiev, UKR)
,
LISOVSKY I
(Inst. Semiconductor Physics, Ukrainian National Acad. Sci., Kiev, UKR)
,
DIDENKO P
(Inst. Semiconductor Physics, Ukrainian National Acad. Sci., Kiev, UKR)
,
LIDAY J
(Slovak Technical Univ., Bratislava, SVK)
,
VESELY M
(Slovak Technical Univ., Bratislava, SVK)
資料名：
Secondary Ion Mass Spectrometry - SIMS 10
(Secondary Ion Mass Spectrometry - SIMS 10)
ページ： 701-704 発行年： 1997年
JST資料番号： K19970548 ISBN： 0-471-95897-2 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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