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文献
J-GLOBAL ID：200902123534650910
整理番号：98A0527422
GaAs(100)基板上の高品質の立方晶GaNの有機金属蒸気エピタクシー成長
Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Growth of High Quality Cubic GaN on GaAs (100) Substrates.
WU J
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
YAGUCHI H
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
ONABE K
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SHIRAKI Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
ITO R
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 37 号： 3B ページ： 1440-1442 発行年： 1998年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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