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文献
J-GLOBAL ID：200902123620237929
整理番号：02A0765154
Si(001)表面におけるCl2とF2の解離吸着の第一原理分子動力学計算とSTM観察
First-principles molecular-dynamics calculations and STM observations of dissociative adsorption of Cl2 and F2 on Si(001) surface.
OKADA H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
INAGAKI K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
GOTO H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ENDO K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
HIROSE K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MORI Y
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Surface Science
(Surface Science)
巻： 515 号： 2/3 ページ： 287-295 発行年： 2002年09月01日
JST資料番号： C0129B ISSN： 0039-6028 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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