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文献
J-GLOBAL ID:200902123620237929   整理番号:02A0765154

Si(001)表面におけるCl2とF2の解離吸着の第一原理分子動力学計算とSTM観察

First-principles molecular-dynamics calculations and STM observations of dissociative adsorption of Cl2 and F2 on Si(001) surface.
著者 (6件):
OKADA H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
INAGAKI K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
GOTO H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
ENDO K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
HIROSE K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
MORI Y
(Osaka Univ., Osaka, JPN)

資料名:
Surface Science  (Surface Science)

巻: 515  号: 2/3  ページ: 287-295  発行年: 2002年09月01日 
JST資料番号: C0129B  ISSN: 0039-6028  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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