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文献
J-GLOBAL ID：200902123753121826
整理番号：96A0711677
GaNバルク単結晶及びエピタキシャル層の成長における格子極性の決定
Determination of lattice polarity for growth of GaN bulk single crystals and epitaxial layers.
PONCE F A
(Xerox Palo Alto Res. Center, California)
,
BOUR D P
(Xerox Palo Alto Res. Center, California)
,
YOUNG W T
(Univ. Bristol, Bristol, GBR)
,
SAUNDERS M
(Univ. Bristol, Bristol, GBR)
,
STEEDS J W
(Univ. Bristol, Bristol, GBR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 69 号： 3 ページ： 337-339 発行年： 1996年07月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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