文献
J-GLOBAL ID:200902123766065763
整理番号:97A0172064
III族窒化物半導体の進歩と将来展望
Progress and prospects of group-III nitride semiconductors.
著者 (2件):
MOHAMMAD S N
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA)
,
MORKOC H
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA)
資料名:
Progress in Quantum Electronics
(Progress in Quantum Electronics)
巻:
20
号:
5/6
ページ:
361-525
発行年:
1996年09月
JST資料番号:
H0507B
ISSN:
0079-6727
CODEN:
PQUEAH
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)