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文献
J-GLOBAL ID：200902123783010050
整理番号：02A0070313
プラズマ支援分子線エピタクシー法で成長させたAlN/GaNおよび(Al,Ga)N/AlN/GaNの二次元電子ガス構造
AlN/GaN and (Al,Ga)N/AlN/GaN two-dimensional electron gas structures grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy.
SMORCHKOVA I P
(Univ. California, California)
,
CHEN L
(Univ. California, California)
,
MATES T
(Univ. California, California)
,
SHEN L
(Univ. California, California)
,
HEIKMAN S
(Univ. California, California)
,
MORAN B
(Univ. California, California)
,
KELLER S
(Univ. California, California)
,
DENBAARS S P
(Univ. California, California)
,
MISHRA U K
(Univ. California, California)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 90 号： 10 ページ： 5196-5201 発行年： 2001年11月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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