文献
J-GLOBAL ID:200902123863742508
整理番号:97A0627754
低張力の歪みを持つバルクGaInAsPを利用した高性能の1.55μmの偏光に感度のない半導体光増幅器
High performance 1.55μm polarisation-insensitive semiconductor optical amplifier based on low-tensile-strained bulk GaInAsP.
著者 (9件):
EMERY J-Y
(Alcatel Corporate Res. Center, Marcoussis, FRA)
,
DUCELLIER T
(Alcatel Corporate Res. Center, Marcoussis, FRA)
,
BACHMANN M
(Alcatel Corporate Res. Center, Marcoussis, FRA)
,
DOUSSIERE P
(Alcatel Corporate Res. Center, Marcoussis, FRA)
,
NGO R
(Alcatel Corporate Res. Center, Marcoussis, FRA)
,
GABORIT F
(Alcatel Corporate Res. Center, Marcoussis, FRA)
,
GOLDSTEIN L
(Alcatel Corporate Res. Center, Marcoussis, FRA)
,
LAUBE G
(Alcatel Telecom Res. Center, Stuttgart, DEU)
,
BARRAU J
(INSA, Toulouse, FRA)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
33
号:
12
ページ:
1083-1084
発行年:
1997年06月05日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)