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文献
J-GLOBAL ID:200902123863742508   整理番号:97A0627754

低張力の歪みを持つバルクGaInAsPを利用した高性能の1.55μmの偏光に感度のない半導体光増幅器

High performance 1.55μm polarisation-insensitive semiconductor optical amplifier based on low-tensile-strained bulk GaInAsP.
著者 (9件):
EMERY J-Y
(Alcatel Corporate Res. Center, Marcoussis, FRA)
DUCELLIER T
(Alcatel Corporate Res. Center, Marcoussis, FRA)
BACHMANN M
(Alcatel Corporate Res. Center, Marcoussis, FRA)
DOUSSIERE P
(Alcatel Corporate Res. Center, Marcoussis, FRA)
NGO R
(Alcatel Corporate Res. Center, Marcoussis, FRA)
GABORIT F
(Alcatel Corporate Res. Center, Marcoussis, FRA)
GOLDSTEIN L
(Alcatel Corporate Res. Center, Marcoussis, FRA)
LAUBE G
(Alcatel Telecom Res. Center, Stuttgart, DEU)
BARRAU J
(INSA, Toulouse, FRA)

資料名:
Electronics Letters  (Electronics Letters)

巻: 33  号: 12  ページ: 1083-1084  発行年: 1997年06月05日 
JST資料番号: A0887A  ISSN: 0013-5194  CODEN: ELLEAK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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