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文献
J-GLOBAL ID：200902123904928379
整理番号：97A0358962
水素注入Si,Ge,SiC及びダイヤモンド基板の層分離過程
Layer splitting process in hydrogen-implanted Si,Ge,SiC, and diamond substrates.
TONG Q-Y
(Max-Planck-Inst. Microstructure Physics, Halle, DEU)
,
GUTJAHR K
(Max-Planck-Inst. Microstructure Physics, Halle, DEU)
,
HOPFE S
(Max-Planck-Inst. Microstructure Physics, Halle, DEU)
,
GOESELE U
(Max-Planck-Inst. Microstructure Physics, Halle, DEU)
,
LEE T-H
(Duke Univ., North Carolina)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 70 号： 11 ページ： 1390-1392 発行年： 1997年03月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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