文献
J-GLOBAL ID:200902123927684175
整理番号:00A0765169
Formation of High Quality SiC on Si(100) at 900°C using Monomethylsilane Gas-Source MBE.
著者 (3件):
NAKAZAWA H
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SUEMITSU M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
ASAMI S
(Sendai National Coll. Technol., Sendai, JPN)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
338/342
号:
Pt.1
ページ:
269-272
発行年:
2000年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)