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文献
J-GLOBAL ID：200902124192803210
整理番号：99A0892721
金属有機気相エピタキシーによるシリコン上の多重量子井戸青色発光ダイオードInGaN/GaNの成長
Growth of InGaN/GaN multiple-quantum-well blue light-emitting diodes on silicon by metalorganic vapor phase epitaxy.
TRAN C A
(Emcore Corp., New Jersey)
,
OSINSKI A
(Emcore Corp., New Jersey)
,
KARLICEK R F JR
(Emcore Corp., New Jersey)
,
BERISHEV I
(Univ. Houston, Texas)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 75 号： 11 ページ： 1494-1496 発行年： 1999年09月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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