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文献
J-GLOBAL ID：200902124204087493
整理番号：02A0901801
高濃度SbドープSi(001)におけるドーパントの脱活性化 高分解能X線回折と透過電子顕微鏡観察
Dopant deactivation in heavily Sb doped Si (001): A high-resolution x-ray diffraction and transmission electron microscopy study.
TAKAMURA Y
(Stanford Univ., California)
,
VAILIONIS A
(Stanford Univ., California)
,
MARSHALL A F
(Stanford Univ., California)
,
GRIFFIN P B
(Stanford Univ., California)
,
PLUMMER J D
(Stanford Univ., California)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 92 号： 9 ページ： 5503-5507 発行年： 2002年11月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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