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文献
J-GLOBAL ID：200902124244070984
整理番号：93A0277448
構造設計した単一ソース前駆体を用いて化学蒸着した立方晶GaSがあるGaAsの光ルミネセンス強度の増大
Enhancement of photoluminescence intensity of GaAs with cubic GaS chemical vapor deposited using a structurally designed single-source precursor.
MACLNNES A N
(Harvard Univ., Massachusetts)
,
POWER M B
(Harvard Univ., Massachusetts)
,
BARRON A R
(Harvard Univ., Massachusetts)
,
JENKINS P P
(Lewis Research Center, National Aeronautics and Space Administration, Ohio)
,
HEPP A F
(Lewis Research Center, National Aeronautics and Space Administration, Ohio)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 62 号： 7 ページ： 711-713 発行年： 1993年02月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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