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文献
J-GLOBAL ID：200902124328944920
整理番号：96A0864725
ガスソース分子線エピタクシーによりGaAs(N11)基板上に成長させた(GaP)n(InP)m超格子における自己組織化ドット/柱状構造と擬完全CuPt型規則化
Self-Organized Dot/Columnar Structures and Quasi-Perfect CuPt-Type Ordering in (GaP)n(InP)n Superlattices Grown on GaAs(N11) Substrates by Gas Source Molecular Beam Epitaxy.
KIM S-J
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ASAHI H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
TAKEMOTO M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ASAMI K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
TAKEUCHI M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
GONDA S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 35 号： 8 ページ： 4225-4231 発行年： 1996年08月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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