文献
J-GLOBAL ID:200902124431540536
整理番号:02A0686965
ステップ/テラス構造をもつシリコン上の超薄酸化物中の漏れ電流分布
Leakage current distribution in ultrathin oxide on silicon surface with step/terrace structures.
著者 (4件):
MURATA M
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
TOKUDA N
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
HOJO D
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
YAMABE K
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
414
号:
1
ページ:
56-62
発行年:
2002年07月01日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)