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文献
J-GLOBAL ID：200902124532759938
整理番号：98A0414310
へき開端被覆成長法によりCdSe/ZnSe量子ドットを作製する新しい方法
New approach to the fabrication of CdSe/ZnSe quantum dots using a cleaved-edge overgrowth technique.
KO H-C
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KAWAKAMI Y
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
FUJITA S
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
FUJITA S
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 184/185 ページ： 283-287 発行年： 1998年02月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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