文献
J-GLOBAL ID:200902124543010670
整理番号:93A0315254
p型エピタキシャル成長Hg1-xCdxTeにおける電子移動度
Electron mobility in p-type epitaxially grown Hg1-xCdxTe.
著者 (5件):
GORDON N T
(Defence Research Agency, Worcs, GBR)
,
BARTON S
(Philips Infrared Defence Components, Southampton, GBR)
,
CAPPER P
(Philips Infrared Defence Components, Southampton, GBR)
,
JONES C L
(Philips Infrared Defence Components, Southampton, GBR)
,
METCALFE N
(Philips Infrared Defence Components, Southampton, GBR)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
8
号:
1S
ページ:
S221-S224
発行年:
1993年01月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)