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文献
J-GLOBAL ID：200902124554457846
整理番号：94A0062591
GaN-AlN-GaN構造における電荷分布に及ぼす歪誘起電場の影響
The influence of the strain-induced electric field on the charge distribution in GaN-AlN-GaN structure.
BYKHOVSKI A
(Univ. Virginia, Virginia)
,
GELMONT B
(Univ. Virginia, Virginia)
,
SHUR M
(Univ. Virginia, Virginia)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 74 号： 11 ページ： 6734-6739 発行年： 1993年12月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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