文献
J-GLOBAL ID:200902124635018260
整理番号:01A0523893
電力密度が非常に高いAlGaN/GaN HEMT
Very-High Power Density AlGaN/GaN HEMTs.
著者 (6件):
WU Y-F
(Cree Lighting Co., CA, USA)
,
KAPOLNEK D
(Ericsson Datacom Inc., CA, USA)
,
IBBETSON J P
(Cree Lighting Co., CA, USA)
,
PARIKH P
(Cree Lighting Co., CA, USA)
,
KELLER B P
(Cree Lighting Co., CA, USA)
,
MISHRA U K
(Cree Lighting Co., CA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
48
号:
3
ページ:
586-590
発行年:
2001年03月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)