文献
J-GLOBAL ID:200902124689725735
整理番号:00A0093104
0.18μm以下CMOS技術に用いる浅いトレンチ分離用レトログレード井戸注入における決定的空間変化の影響
The Effect of Deterministic Spatial Variations in Retrograde Well Implants on Shallow Trench Isolation for Sub-0.18μm CMOS Technology.
著者 (6件):
KAPILA D
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
,
JAIN A
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
,
NANDAKUMAR M
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
,
ASHBURN S
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
,
VASANTH K
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
,
SRIDHAR S
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
(IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻:
12
号:
4
ページ:
457-461
発行年:
1999年11月
JST資料番号:
T0521A
ISSN:
0894-6507
CODEN:
ITSMED
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)