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文献
J-GLOBAL ID：200902124958653320
整理番号：96A0228130
差分X線反射率で観測したSiO2/Si界面での高密度層
High-Density Layer at the SiO2/Si Interface Observed by Difference X-Ray Reflectivity.
AWAJI N
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
OHKUBO S
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
NAKANISHI T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
SUGITA Y
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
TAKASAKI K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
KOMIYA S
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 35 号： 1B ページ： L67-L70 発行年： 1996年01月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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