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文献
J-GLOBAL ID：200902124966119279
整理番号：98A0861008
セシウムを吸着させたp-GaN(0001)表面の陰電子親和力
Negative electron affinity of cesiated p-GaN(0001) surfaces.
EYCKELER M
(Gerhard-Mercator-Univ. Duisburg, Duisburg, DEU)
,
MOENCH W
(Gerhard-Mercator-Univ. Duisburg, Duisburg, DEU)
,
KAMPEN T U
(TU Chemnitz, Chemnitz, DEU)
,
DIMITROV R
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
AMBACHER O
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
STUTZMANN M
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 16 号： 4 ページ： 2224-2228 発行年： 1998年07月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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