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文献
J-GLOBAL ID：200902124974699276
整理番号：02A0199346
Si/Si1-xGex共鳴トンネルダイオードのスケール化された性能
The Scaled Performance of Si/Si1-xGex Resonant Tunneling Diodes.
SEE P
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
PAUL D J
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 22 号： 12 ページ： 582-584 発行年： 2001年12月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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