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文献
J-GLOBAL ID：200902124992412049
整理番号：97A0642177
分光エリプソメトリー(SE)と光透過法によるサファイア上のウルツ鉱型構造GaNの基礎吸収端近傍(0.78~4.77eV)の光学的性質
Optical properties of wurtzite structure GaN on sapphire around fundamental absorption edge (0.78-4.77eV) by spectroscopic ellipsometry and the optical transmission method.
YU G
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
WANG G
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ISHIKAWA H
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
UMENO M
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
SOGA T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
EGAWA T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
WATANABE J
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
JIMBO T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 70 号： 24 ページ： 3209-3211 発行年： 1997年06月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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