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文献
J-GLOBAL ID：200902125033370074
整理番号：00A0185619
シリコン薄膜の融解と再固化におけるエキシマレーザ誘起の温度場
Excimer laser-induced temperature field in melting and resolidification of silicon thin films.
HATANO M
(Univ. California, California)
,
MOON S
(Univ. California, California)
,
LEE M
(Univ. California, California)
,
SUZUKI K
(Hitachi Ltd., Mobara, JPN)
,
GRIGOROPOULOS C P
(Univ. California, California)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 87 号： 1 ページ： 36-43 発行年： 2000年01月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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