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文献
J-GLOBAL ID：200902125034850649
整理番号：00A0382668
ヘリコン波励起N2-Arプラズマ成長Si酸化窒化膜の電気特性とFowler-Nordheimストレス耐性に及ぼすガス流量比の効果
Effects of Gas-Flow-Rate Ratio on Electrical Characteristics and Fowler-Nordheim Stress Resistance of Si Oxynitride Grown with Helicon-Wave-Excited N2-Ar plasma.
OKA F
(Sci. Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
TACHIKAWA M
(Sci. Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
TSUKUDA T
(Sci. Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
IKOMA H
(Sci. Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 3A ページ： 1013-1021 発行年： 2000年03月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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