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文献
J-GLOBAL ID：200902125046484354
整理番号：98A0142863
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタにおける圧電効果とゲート電流
Piezoeffect and gate current in AlGaN/GaN high electron mobility transistors.
GASKA R
(APA Optics, Inc., Minnesota)
,
YANG J W
(APA Optics, Inc., Minnesota)
,
OSINSKY A
(APA Optics, Inc., Minnesota)
,
BYKHOVSKI A D
(Univ. Virginia, Virginia)
,
SHUR M S
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 71 号： 25 ページ： 3673-3675 発行年： 1997年12月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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