文献
J-GLOBAL ID:200902125065105224
整理番号:02A0633414
バリスティックおよびトンネル伝導GaAs静電誘導トランジスタ テラHzエレクトロニクス用のナノデバイス
Ballistic and Tunneling GaAs Static Induction Transistors: Nano-Devices for THz Electronics.
著者 (3件):
NISHIZAWA J
(Semiconductor Res. Inst., Sendai, JPN)
,
PLOTKA P
(Semiconductor Res. Inst., Sendai, JPN)
,
KURABAYASHI T
(Semiconductor Res. Inst., Sendai, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
49
号:
7
ページ:
1102-1111
発行年:
2002年07月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)